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探測(cè)器及模塊

簡(jiǎn)要描述:探測(cè)器及模塊
PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一種基于復(fù)雜HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器,具備很好的穩(wěn)定性。

  • 產(chǎn)品型號(hào):PCI-3TE-12-1×1-TO8
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2024-10-09
  • 訪  問(wèn)  量:954

詳細(xì)介紹

品牌其他品牌價(jià)格區(qū)間面議
產(chǎn)地類別國(guó)產(chǎn)應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,化工

探測(cè)器及模塊

1–14µm,HgCdTe三級(jí)熱電冷卻,光學(xué)浸沒光導(dǎo)探測(cè)器

PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一種基于復(fù)雜HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器,具備很好的穩(wěn)定性。該材料經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可在12µm時(shí)實(shí)現(xiàn)最佳性能,用高半球GaAs微透鏡來(lái)提高探測(cè)能力,光電導(dǎo)檢測(cè)器應(yīng)在最佳偏置電壓和電流模式下工作。低頻率下的性能由于1/f噪聲而減小,3°楔形硒化鋅(wZnSeAR)防反射涂層窗口可防止不必要的干擾效應(yīng)。

規(guī)格參數(shù)

參數(shù)(Ta = 20°C)探測(cè)器類型
PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36
光敏元件材料HgCdTe
截止波長(zhǎng) λcut-on (10%), µm≤2.0
峰值波長(zhǎng) λpeak, µm10.0±0.2
優(yōu)化波長(zhǎng) λopt, µm12
最高截止波長(zhǎng) λcut-off (10%), µm14.0±0.2
探測(cè)率 D*(λpeak), cm·Hz1/2/W≥1.6×109
探測(cè)率 D*(λopt), cm·Hz1/2/W≥9.0×108
電流響應(yīng)度 Ri(λpeak), A/W≥0.11
電流響應(yīng)度 Ri(λopt), A/W≥0.07
時(shí)間常數(shù) τ, ns≤5
阻抗 R, Ω≤300
偏置電壓 Vb, V≤1.8
1/f 噪聲頻率 fc, kHz≤20
芯片工作溫度 Tdet, K~210
光敏面積 Ao, mm×mm1×1
封裝TO8
接收角度 Φ~36°
窗片wZnSeAR

探測(cè)器及模塊光譜響應(yīng)

特征和應(yīng)用領(lǐng)域

特征

•1至14µm的寬光譜范圍

•高響應(yīng)度

•大動(dòng)態(tài)范圍

•長(zhǎng)期穩(wěn)定性和可靠性

•快速交付


應(yīng)用領(lǐng)域

•FTIR光譜



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