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簡(jiǎn)要描述:探測(cè)器及模塊PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一種基于復(fù)雜HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器,具備很好的穩(wěn)定性。
產(chǎn)品分類CLASSIFICATION
詳細(xì)介紹
品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
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產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工 |
探測(cè)器及模塊
1–14µm,HgCdTe三級(jí)熱電冷卻,光學(xué)浸沒光導(dǎo)探測(cè)器
PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一種基于復(fù)雜HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器,具備很好的穩(wěn)定性。該材料經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可在12µm時(shí)實(shí)現(xiàn)最佳性能,用高半球GaAs微透鏡來(lái)提高探測(cè)能力,光電導(dǎo)檢測(cè)器應(yīng)在最佳偏置電壓和電流模式下工作。低頻率下的性能由于1/f噪聲而減小,3°楔形硒化鋅(wZnSeAR)防反射涂層窗口可防止不必要的干擾效應(yīng)。
參數(shù)(Ta = 20°C) | 探測(cè)器類型 |
PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36 | |
光敏元件材料 | HgCdTe |
截止波長(zhǎng) λcut-on (10%), µm | ≤2.0 |
峰值波長(zhǎng) λpeak, µm | 10.0±0.2 |
優(yōu)化波長(zhǎng) λopt, µm | 12 |
最高截止波長(zhǎng) λcut-off (10%), µm | 14.0±0.2 |
探測(cè)率 D*(λpeak), cm·Hz1/2/W | ≥1.6×109 |
探測(cè)率 D*(λopt), cm·Hz1/2/W | ≥9.0×108 |
電流響應(yīng)度 Ri(λpeak), A/W | ≥0.11 |
電流響應(yīng)度 Ri(λopt), A/W | ≥0.07 |
時(shí)間常數(shù) τ, ns | ≤5 |
阻抗 R, Ω | ≤300 |
偏置電壓 Vb, V | ≤1.8 |
1/f 噪聲頻率 fc, kHz | ≤20 |
芯片工作溫度 Tdet, K | ~210 |
光敏面積 Ao, mm×mm | 1×1 |
封裝 | TO8 |
接收角度 Φ | ~36° |
窗片 | wZnSeAR |
特征
•1至14µm的寬光譜范圍
•高響應(yīng)度
•大動(dòng)態(tài)范圍
•長(zhǎng)期穩(wěn)定性和可靠性
•快速交付
應(yīng)用領(lǐng)域
•FTIR光譜
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