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VCSEL晶圓

簡要描述:VCSEL晶圓,850 nm VCSEL 外延結(jié)構(gòu)具有 > 4mW 的光功率、0.6 mA 的低閾值電流和適當(dāng)?shù)墓庾V特性,適用于電信和光通信應(yīng)用。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時間:2024-10-09
  • 訪  問  量:1157

詳細介紹

品牌其他品牌供貨周期兩周
應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,化工

VCSEL晶圓 VIGO提供常見波長的VCSEL外延,例如850nm,940nm,1550nm;也可提供結(jié)構(gòu)定制??商峁┩庋诱蛘逥IE;無論是處于產(chǎn)品設(shè)計的概念階段,需要對現(xiàn)有產(chǎn)品進行創(chuàng)新升級,還是尋求開箱即用的解決方案。 我們都可以為客戶提供研發(fā)項目的技術(shù)支持,并提出新的方法和途徑來生產(chǎn)符合客戶要求的外延結(jié)構(gòu)。

850 nm VCSEL 外延結(jié)構(gòu)具有 > 4mW 的光功率、0.6 mA 的低閾值電流和適當(dāng)?shù)墓庾V特性,適用于電信和光通信應(yīng)用。

主要特點

厚度公差與規(guī)格<0.01%

載體濃度公差 <+/-10%

標(biāo)準波長公差<+/-5nm

反射率下降位置 <+/-3nm(不包括5mm邊環(huán))

芯片的顯微鏡圖像:

芯片尺寸:

VCSEL晶圓產(chǎn)品性能

VCSEL,切割前的裸片,T=20 | 當(dāng)前孔徑Φ=~4μm

電光特性:

PARAMETER SYMBOL TEST COND. SAMPLE NO.21_1L
Emission wavelength λR[nm] POP=2.0mW 854
Threshold current ITh [mA] —— 0.7
Threshold voltage VTH [V] —— 1.95
Laser current lop [mA] POP=2.0mW 2.63
Laser voltage Uop [V] POP=2.0mW 2.37
Slope efficiency ns [W/A] —— 1.02
Output power Popt [mW] POP=6.0mW 4.93
Differential series resistance Rs [2] POP=2.0mW 180
Thermal resistance(VCSEL chip) Rthremal[K/mW] —— 6.2-7.8
Side mode suppression ratio SMSR POP=2.0mW 25
Wavelength tuning over temperature [nm/K] —— 0.052
Wavelength tuning over current dλ/dl [nm/mA] —— 0.72-0.85

絕對最大額定值:

溫度:儲存(-40℃至120℃),工作(-20℃至110℃)

電氣:反向電壓(5V)CW電流(10mA),脈沖電流(7mA)

 

FP-DIP的波長分布

MQW的光致發(fā)光掃描

SIMS-二次離子質(zhì)譜

Si和C摻雜劑的分布。 DBR 和 QW 中的可見 Al(x)Ga(1-x)As 層/有源區(qū)中的勢壘

光譜特性

電光特性

產(chǎn)品應(yīng)用

面向光通信、3D視覺、人臉識別、原子鐘、磁強計、激光雷達、醫(yī)療醫(yī)美、AR/VR等等行業(yè)廠商的VCSEL外延需求。

 

 

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